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比内存快1000倍!全新国产黑科技存储出击

时间:2017-02-12 09:39来源:118图库 作者:118KJ 点击:
IntelOptane(闪腾)存储产品终于开始出货了,而 中芯国际与Crossbar合作研发的ReRAM(非易失性阻变式存储器)也传来好消息,已经在中芯国际正式投入生产! Crossbar公司成立于2010年,拿到了

Intel Optane(闪腾)存储产品终于开始出货了,而中芯国际与Crossbar合作研发的ReRAM(非易失性阻变式存储器)也传来好消息,已经在中芯国际正式投入生产!

Crossbar公司成立于2010年,拿到了包括中国北极光创投在内提供的8000万美元风投,2016年3月宣布与中芯国际达成合作,j2直播,发力中国市场,中芯国际将采用自家的40nm CMOS工艺试产ReRAM芯片。

比内存快1000倍!全新国产黑科技存储出击

ReRAM代表电阻式RAM,是将DRAM的读写速度与NAND的非易失性集于一身的新一代存储技术,关闭电源后仍能保存数据。如果ReRAM有足够大的空间,一台配备ReRAM的计算机将几乎不再需要载入时间。

ReRAM的名字中虽然带有RAM,但机制和用途其实更像NAND闪存,主要用作数据存储。

ReRAM的性能十分彪悍,号称存储密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,200平方毫米左右的单芯片即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造等优点。

与传统的NAND闪存相比,ReRAM速度快的多,位元可修改,开奖,并且所需电压更低,这都使得它可以被应用于嵌入式和SSD设备之中。

而且不同于NAND闪存对于更新工艺的不适应,ReRAM的扩展性更好,远景可以做到5nm。

另外,更先进的28nm ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。

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Crossbar ReRAM I/V曲线(1T1R和1TnR)

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ReRAM应用前景



news.zol.com.cn true 中关村在线 report 1047 Intel Optane(闪腾)存储产品终于开始出货了,而中芯国际与Crossbar合作研发的ReRAM(非易失性阻变式存储器)也传来好消息,已经在中芯国际正式投入生产!Crossbar公司成立于2010年,拿到了包括中国北极光创投在内提供的8000万美元风投,2016年3月宣布与中芯国际达成合...

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